SSM3J358R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | SSM3J358R,LF |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.47 |
10+ | $0.356 |
100+ | $0.2215 |
500+ | $0.1516 |
1000+ | $0.1166 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23F |
Serie | U-MOSVII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.1mOhm @ 6A, 8V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-3 Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1331 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.5 nC @ 8 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
Grundproduktnummer | SSM3J358 |
SSM3J358R,LF Einzelheiten PDF [English] | SSM3J358R,LF PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and Storage |
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Zielpreis (USD)
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